В настоящее время широкое распространение получили импульсные DC/DC блоки питания, ввиду их более высокого КПД, по сравнению с линейными. Хотя они и уступают линейным в стабильности выходного напряжения, но при значительном изменении входного напряжения на них рассеивается меньшая мощность. В настоящее время производится довольно широкая номенклатура различных микросхем на основе которых возможно выполнение подобной задачи. Здесь приводятся практические схемы двух блоков питания на основе микросхемы LM2577T-ADJ.
Краткие характеристики микросхемы: напряжение питания 3,5-30 вольт, частота внутреннего генератора 52 кГц.
В состав данной микросхемы входит 3-амперный N-P-N выходной транзистор с граничным напряжением Э-К - 65вольт. Микросхема имеет внутреннюю токовую и температурную защиту. Схема, приведённая на рис.1, представляет собой простой индукторный преобразователь работающий следующим образом: Сетевое напряжение 220вольт преобразуется трансформатором Т1 в более низкое 8-16 вольт.
Затем оно выпрямляется диодным мостом собранном на VD1-VD4, и сглаживается конденсатором С1. Выпрямленное напряжение поступает на 5 вывод D1, в результате чего запускается внутренняя схема и генератор. Внутренний транзистор замыкает выводы 3 и 4 из-за чего происходит накопление энергии во внешней индуктивности L1, при этом диод VD5 закрыт.
После того как транзистор закроется, энергия с индуктивности поступит через открытый диод VD5 на ёмкость С4 и она зарядится до определённого напряжения. При этом выходное напряжение т.е. напряжение на ёмкости сравнивается с опорным 1,23V, и если оно ниже то процедура повторится в следующем такте. Если оно больше, то длительность времени открытия транзистора уменьшится.
Таким образом, на ёмкости будет наблюдаться пилообразное напряжение амплитудой в несколько милливольт и частотой генератора. Выходное напряжение можно регулировать в широких пределах, но оно не может быть ниже входного, т.к. в этом случае откроется диод VD5, и напряжение будет поступать на выход. При этом транзистор микросхемы будет всегда закрыт.
Рис.2 Если необходимо создать преобразователь с более низким напряжением чем входное то для этих целей лучше использовать обратно-ходовый преобразователь Рис. 2.
Работа основной части схемы не отличается от предыдущей с той лишь разницей что энергия запасается не в дросселе Пав трансформаторе Т2 и после закрытия транзистора микросхемы передаётся во вторичную обмотку. За счёт коэффициента трансформации, а в большей мере потому что постоянное напряжение не может пройти через обмотки трансформатора можно достичь меньшего выходного напряжения чем входное.
При этом следует опасаться подавать на вход микросхемы напряжение выше 32V, так как при этом выбросы на выходном транзисторе могут быть выше предельно допустимого Uэ-к (65V). Цепочка VD6.VD7 служит для ограничения обратного напряжения на первичной обмотке трансформатора 12.
Детали: Микросхема с индексом - ADJ рассчитана на регулируемое потребителем выходное напряжение. С индексом -12 и -15 на фиксированное соответственно 12V и 15V выходное напряжение. При этом вывод 2 микросхемы необходимо без резистивного делителя подключить непосредственно к выходу. Трансформаторы Т1 в обеих схемах на мощность 8-10W, если выходное напряжение будет как на схемах 24V при токе 200mA.
При необходимости получить широкий диапазон входного напряжения например от 8 до 16V по первой схеме и 8-32V по второй. провод необходимо выбрать сечением не менее 1мм. (Чем выше входное напряжение тем меньший ток потребляется от обмотки). В качестве диодов VD1-VD4 в обеих схемах используются КД213, при большем входном напряжении преобразователя, а также меньшей потребляемой мощности, возможно применение менее мощных диодов например КД209.
Все резисторы типа МЯТ 0,125, электролитические конденсаторы типа К50-35 или аналогичные. Керамические конденсаторы типа КД-. Их желательно устанавливать как можно ближе к микросхеме.
Дроссель L1 намотан на феррите 4-18x11 и содержит 53 витка провода ПЭЛШО диаметром 04мм. Между чашечками необходимо установить прокладку толщиной 0,2мм. Трансформатор Т2 намотан на феррите E2Q/10/6 с зазором в центральном керне 0,25мм. И содержит первичная обмотка 33 витка провода ПЭВ-2 диаметром 0.45мм а вторичная 45 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,31мм |